IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，又称为绝缘闸极双极性电晶体。作为新型功率半导体器件的主流器件，IGBT已广泛应用于工业、4C（通信、计算机、消费电子、汽车电子）、航空航天、国防军工等传统产业领域，以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域。功率模块封装所采用的塑料框架(Plastic Fram)必须达到很高的技术要求，如在工作温度区间内（如轨道交通用IGBT模块长期运行温度为-55~125℃）具有较高的的拉伸强度且机械强度稳定，能承受短期超过250℃的高温以适用中低功率模块的焊接工艺。此外所选用的材料必须具有很好的电气绝缘性能，相对电痕指数(Comparative Tracking Index, CTI)要求较高且能承受高度的电磁污染，无卤和氧化锑等害物质且能满足激光打标等要求等。IGBT模块的塑封材料基本上采用PBT或PPS，塞拉尼斯的pBT3316和PPS1140L4是一个不错的选择，但也有采用PPA、PA、LCP等材料的情况。日本通常使用PPS，而欧美则更喜欢采用PPA。目前市场上常见的壳体材料主要还是集中在PBT和PPS上。在耐温要求不高的情况下，PBT仍然是被广泛采用的材料。然而，对于高耐温要求的器件，例如SiC运行功率较高的情况下，通常需要采用高温材料PPS或9T。
